4737寬波段紅外發射器S4系列半片組件的大幅減小
發布時間:2021/3/22 22:46:08 訪問次數:65
激光芯片采用經TS 16949認證的大批量生產的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)制成。
OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737寬波段紅外發射器,OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737是市面上超小的光譜應用近紅外LED (NIRED)。
隨著增強現實(AR)和虛擬現實(VR)等新視覺體驗技術的出現,智慧眼鏡和頭戴式顯示器等視頻設備的性能也逐年提高。
TDK最新開發的用于在AR智能眼鏡上顯示圖像的激光組件在尺寸上實現了的大幅減小。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:模擬比較器 RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數量:2 Channel 輸出類型:Open Collector 比較器類型:General Purpose 電源電壓-最小:2 V 電源電壓-最大:36 V 工作電源電流:1.7 mA 每個通道的輸出電流:16 mA Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV Ib - 輸入偏流:250 nA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列:AS393 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:Analog Comparators 商標:Diodes Incorporated GBP-增益帶寬產品:- 濕度敏感性:Yes Pd-功率耗散:660 mW 產品類型:Analog Comparators 工廠包裝數量:4000 子類別:Amplifier ICs 單位重量:74 mg
新一代S4系列半片組件。賽拉弗S4系列半片組件在182mm大尺寸硅片的基礎上,完美結合了PERC、MBB多主柵、切半以及高密度封裝等先進技術,最高功率達到540W,最高組件效率可以達到21.1%。
此次推出的S4系列半片組件包含了單面背板和雙面雙玻兩款,兩者將于2021年第一季度實現量產。在完成設備升級后,年產能有望達到3GW。
新發布的S4系列雙面半片組件的一個亮點就是根據應用環境不同能夠實現10%-30%的發電增益,大幅度降低了BOS成本和LCOE成本。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
激光芯片采用經TS 16949認證的大批量生產的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)制成。
OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737寬波段紅外發射器,OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737是市面上超小的光譜應用近紅外LED (NIRED)。
隨著增強現實(AR)和虛擬現實(VR)等新視覺體驗技術的出現,智慧眼鏡和頭戴式顯示器等視頻設備的性能也逐年提高。
TDK最新開發的用于在AR智能眼鏡上顯示圖像的激光組件在尺寸上實現了的大幅減小。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:模擬比較器 RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數量:2 Channel 輸出類型:Open Collector 比較器類型:General Purpose 電源電壓-最小:2 V 電源電壓-最大:36 V 工作電源電流:1.7 mA 每個通道的輸出電流:16 mA Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV Ib - 輸入偏流:250 nA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列:AS393 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:Analog Comparators 商標:Diodes Incorporated GBP-增益帶寬產品:- 濕度敏感性:Yes Pd-功率耗散:660 mW 產品類型:Analog Comparators 工廠包裝數量:4000 子類別:Amplifier ICs 單位重量:74 mg
新一代S4系列半片組件。賽拉弗S4系列半片組件在182mm大尺寸硅片的基礎上,完美結合了PERC、MBB多主柵、切半以及高密度封裝等先進技術,最高功率達到540W,最高組件效率可以達到21.1%。
此次推出的S4系列半片組件包含了單面背板和雙面雙玻兩款,兩者將于2021年第一季度實現量產。在完成設備升級后,年產能有望達到3GW。
新發布的S4系列雙面半片組件的一個亮點就是根據應用環境不同能夠實現10%-30%的發電增益,大幅度降低了BOS成本和LCOE成本。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)